ﭼﻜﻴﺪه:
ﺗﻐﻴﻴﺮات دمایی ﺗﺎﺛﻴر ﺑﺴﺰایی ﺑﺮ ﺧﻮاص الکتریکی ﺳﻠﻮل ﺧﻮرﺷﻴﺪی دارﻧﺪ. در اﻳﻦ ﭘﮋوﻫﺶ ﺗﺎﺛﻴﺮات ﺗﻐﻴﻴﺮات دﻣﺎیی ﺑﺮ ﺧﻮاص اﻟﻜﺘﺮیکی ﺳﻠﻮل ﺧﻮرﺷﻴﺪی ﻣﻮرد ﺑﺮرسی ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ. ﭘﻮﻟﻚ ﺳﻴﻠﺴﻴﻮمی ﻧﻮع p ﺑﺎ ﺿﺨﺎﻣﺖ ۳۳۰ ﻣﻴﻜﺮوﻣﺘﺮﻛﻪ ﺗﻮﺳﻂ آﻻﻳﻨﺪه ﻓﺴﻔﺮ ﺑﻪ ﻧﻮع n ﺑﺎ ﺿﺨﺎﻣﺖ ۵۰۰ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ ﺑﻪ ﺻﻮرت اﺗﺼﺎل p-n ﻣﻮرد آزﻣﺎﻳﺶ ﻗﺮار می ﮔﻴﺮد .ﺳﻠﻮل ﺧﻮرﺷﻴﺪی ﺗﺤﺖ ﺧﻼء در ﺑﺎزه دﻣﺎیی ۲۷۳ -۱۳۳ درﺟﻪ ﻛﻠﻮﻳﻦ و ﺑﺎ ﻧﻮر ﻻﻣﭗ تنگستنی ﺑﺎ ﺗﻮان ۵۰mw/cm2 مورد آزﻣﺎﻳﺶ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ. وﻟﺘﺎژ ﻣﺪار ﺑﺎز Voc ﺟﺮﻳﺎن ﻣﺪار اﺗﺼﺎل ﻛﻮﺗﺎه Isc و ﻣﻘﺎوﻣﺖ در دﻣﺎﻫﺎی ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻧﺪازه ﮔﻴﺮی ﺷﺪه و ﺗﻐﻴﻴﺮات اﻳﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ ﺑﺎ تغییر دﻣﺎ ﺑﻪ تغییر در ﭼﮕﺎلی ﺑﺎر ﺣﺎﻣﻞ ﻫﺎ ﻧﺴﺒﺖ داده می ﺷﻮد.
مقدمه:
ﭘﺪﻳﺪه ﻓﺘﻮوﻟﺘﺎﺋﻴﻚ ﻋﺒﺎرت اﺳﺖ از ﭘﺪﻳﺪه ای ﻛﻪ در اﺛﺮ ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﺪون اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻜﺎﻧﻴﺰم ﻫﺎی ﻣﺤﺮک، اﻟﻜﺘﺮﻳﺴﻴﺘﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻛﻨﺪ و ﺑﻪ ﻫﺮ ﺳﻴﺴﺘمی ﻛﻪ از اﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪه اﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﺪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻓﺘﻮوﻟﺘﺎﺋﻴﻚ ﮔﻮﻳﻨﺪ.
ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﺎی ﻓﺘﻮوﻟﺘﺎﺋﻴﻚیکی از ﭘﺮﻣﺼﺮف ﺗﺮﻳﻦ ﻛﺎرﺑﺮد اﻧﺮژی ﻧﻮ ﻣﻲ ﺑﺎﺷﺪ و ﺗﺎﻛﻨﻮن ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﺎی ﮔﻮﻧﺎﮔﻮنی ﺑﺎ ﻇﺮﻓﻴﺖ ﻫﺎی مختلف (۰,۵ وات ﺗﺎ ﭼﻨﺪ ﻣﮕﺎوات) در ﺳﺮاﺳﺮ ﺟﻬﺎن ﻧﺼﺐ و راه اﻧﺪازی ﺷﺪه اﺳﺖ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ اﻃﻤﻴﻨﺎن و ﻋﻤﻠﻜﺮد اﻳﻦ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﺎ ﻫﺮ روزه ﺑﺮ ﺗﻌﺪاد ﻣﺘﻘﺎﺿﻴﺎن آﻧﻬﺎ اﻓﺰوده می ﺷﻮد. از ﺳﺮی و ﻣﻮازی ﻛﺮدن ﺳﻠﻮل ﻫﺎی آﻓﺘﺎبی ﻣﻲ ﺗﻮان ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎن و وﻟﺘﺎژ ﻣﻨﺎسبی دﺳﺖ ﭘﻴﺪا ﻛﺮد.
اﻣﺮوزه اﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﺳﻠﻮل ﻫﺎ ﻋﻤﻮﻣﺎ از ﻣﺎده ﺳﻴﻠﻴﺴﻴﻢ ﺗﻬﻴﻪ می ﺷﻮد. p-n ﺳﻠﻮل ﺧﻮرﺷﻴﺪی ﻳﻚ ﭘﻴﻮﻧﺪﮔﺎه می ﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺮای اﻳﺠﺎد ﻧﺎﺣﻴﻪ n ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آﻻﻳﻨﺪه ﻫﺎی ﻫﻤﭽﻮن ﻓﺴﻔﺮ ﻳﺎ ﮔﺎﻟﻴﻢ و ﺑﺮای اﻳﺠﺎد ﻧﺎﺣﻴﻪ p از آﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻮم ﻳﺎ ﺑﻮر اﺳﺘﻔﺎده می شود. در اﺛﺮ ﺗﺎﺑﺶ ﻧﻮر ﺑﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ n اﺧﺘﻼف ﭘﺘﺎنسیلی در دو ﻃﺮف ﺳﻠﻮل اﻳﺠﺎد می ﺷﻮد، ﻛﻪ ﺑﺎ ﺑﻬﻴﻨﻪ ﻛﺮدن ﺷﺮاﻳﻂ می ﺗﻮان از اﻳﻦ ﺳﻠﻮل ﺟﺮﻳﺎن ﻗﺎﺑﻞ ﻣﻼﺣﻈﻪ ای ﮔﺮﻓﺖ. ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﻳﻪ n در ﺣﺪود ۵۰۰ ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ می ﺷﻮد. ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻫﺎی ﺑﻴﺸﺘﺮ اﻳﻦ ﻻﻳﻪ ﻣﻘﺪار ﺑﺎﺷﺪ ﺑﺎﻋﺚ ﻛﺎﻫﺶ ﻧﻮر ﻋﺒﻮری از ﻻﻳﻪ n و اﻓﺖ راﻧﺪﻣﺎن در ﻻﻳﻪ p ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ{۵}. راﻧﺪﻣﺎن ﺳﻠﻮل ﻫﺎی ﺧﻮرﺷﻴﺪی ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ منحنی وﻟﺘﺎژ-ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻨﺠﻴﺪه می ﺷﻮد. با تعریف کردن تابع (Fill Factor (FF و ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ Isc و Voc و Vmax و Imax می توان راﻧﺪﻣﺎن ﺳﻠﻮل را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺗﻮان ﻧﻮر ﺗﺎﺑﻴﺪه ﺷﺪه ﺑﺪﺳﺖ آورد{۲}.
جهت مشاهده متن کامل این مقاله اینجا کلیک کنید.
شرکت مهندسی تکسا، طراح و تولید کننده انواع استراکچرهای خورشیدی و سازه های فلزی
برای مشاهده قیمت و نحوه ی فروش استراکچرهای خورشیدی تکسا با ما تماس بگیرید.